标题 |
![]() 4H-SiC基面位错发光特性的研究
相关领域
阴极发光
材料科学
发光
基面
位错
极限抗拉强度
GSM演进的增强数据速率
蓝移
芯(光纤)
凝聚态物理
光致发光
光学
分子物理学
光电子学
复合材料
化学
物理
电信
计算机科学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Acta Physica Sinica 作者:Rui‐Xia Miao; Yuming Zhang; Xiao-Yan Tang; Yimen Zhang 出版日期:2011-01-01 |
求助人 | |
下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|