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  Modeling on Monolithic Integration Structure of AlGaN/InGaN/GaN High Electron Mobility Transistors and LEDs: 2DEG Density and Radiative Recombination AlGaN/InGaN/GaN高电子迁移率晶体管和LED单片集成结构的模拟：2DEG密度和辐射复合
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期刊：Electronics 作者：Yuan An; Kailin Ren; Luqiao Yin; Jianhua Zhang 出版日期：2023-02-22 |
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