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标题
Modeling on Monolithic Integration Structure of AlGaN/InGaN/GaN High Electron Mobility Transistors and LEDs: 2DEG Density and Radiative Recombination
AlGaN/InGaN/GaN高电子迁移率晶体管和LED单片集成结构的模拟：2DEG密度和辐射复合
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 材料科学 发光二极管 异质结 费米气体 晶体管 氮化镓 量子阱 宽禁带半导体 二极管 电子 图层（电子） 电压 光学 纳米技术 物理 激光器 量子力学
网址
https://www.mdpi.com/2079-9292/12/5/1087/pdf?version=1677569...
AI链接 mdpi.com mdpi.comdoi.org
DOI
10.3390/electronics12051087 doi
其它 期刊：Electronics
作者：Yuan An; Kailin Ren; Luqiao Yin; Jianhua Zhang
出版日期：2023-02-22
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奶黄包 在 2025-08-17 14:37:47 发布，悬赏 10 积分
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