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 Electronic structure of epitaxially grown and regrown GaN pn junctions characterized by scanning Kelvin probe and capacitance microscopy 用扫描Kelvin探针和电容显微镜表征外延生长和再生GaN pn结的电子结构
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Tae‐Hyeon Kim; Kai Fu; Chen Yang; Yuji Zhao; Edward T. Yu 出版日期：2022-01-04 |
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