| 标题 |
 Bandgaps of long-period polytypes of IV, IV-IV, and III-V semiconductors estimated with an Ising-type additivity model 用Ising型加性模型估计长周期多型IV、IV-IV和III-V半导体的带隙
相关领域
砷化物
布里渊区
材料科学
带隙
亚稳态
凝聚态物理
磷化物
伊辛模型
半导体
纤锌矿晶体结构
声子
电子能带结构
混合功能
结晶学
密度泛函理论
光电子学
物理
化学
砷化镓
计算化学
量子力学
冶金
镍
锌
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：The Journal of Chemical Physics 作者：Raghunathan Ramakrishnan; S. K. Jain 出版日期：2023-09-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
科研助手6
cdercder
昏睡的蟠桃
accept
ZhouYW
bc
pluto
冰魂
SYLH
就叫柠檬吧
失眠醉易
调皮黑猫
pcr163
kingwill
iNk
HEIKU
科研小民工
xiixix
yuan
平常的毛豆
皖公网安备34019202002308
