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标题
The influence of V-defects, leakage, and random alloy fluctuations on the carrier transport in red InGaN MQW LEDs
V型缺陷、泄漏和随机合金波动对红色LGA MQW LED中载子输运的影响
相关领域
发光二极管 材料科学 光电子学 泄漏（经济） 合金 冶金 宏观经济学 经济
网址
https://doi.org/10.1063/5.0261821
AI链接 arxiv.org arxiv.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0261821 doi
其它 期刊：Applied Physics Reviews
作者：H. Sheng-Lung Huang; Shih-Min Chen; Claude Weisbuch; James S. Speck; Yuh‐Renn Wu
出版日期：2025-07-01
求助人
jacob258 在 2025-07-15 16:45:07 发布自江苏，悬赏 10 积分
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