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 Wake-Up Free La-Doped HfO2-ZrO2 Ferroelectrics Achieved With an Atomic Layer-Specific Doping Technique 原子层特异性掺杂无唤醒La掺杂HfO2-ZrO2铁电体
相关领域
兴奋剂
材料科学
光电子学
图层（电子）
原子层沉积
纳米技术
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zeping Weng; Yiming Qu; Zhangsheng Lan; Jirong Liu; Mingji Su; et al 出版日期：2022-09-01 |
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