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  Improved reset breakdown strength in a HfOx-based resistive memory by introducing RuOx oxygen diffusion barrier 通过引入RuOx氧扩散势垒提高HfOx基电阻存储器的复位击穿强度
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期刊：AIP Advances 作者：Jaesung Park; Jiyong Woo; Amit Prakash; Sangheon Lee; Seokjae Lim; et al 出版日期：2016-05-01 |
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