A Low-Parasitic-Capacitance and High-Thermal-Uniformity Base-Substrate Structure for 15kV Silicon Carbide Devices Based on Liquid-Vapor Two-Phase Material

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标题	A Low-Parasitic-Capacitance and High-Thermal-Uniformity Base-Substrate Structure for 15kV Silicon Carbide Devices Based on Liquid-Vapor Two-Phase Material
网址	https://doi.org/10.1109/TPEL.2026.3661554
DOI	10.1109/TPEL.2026.3661554 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Dingkun Ma; Guochun Xiao; Tianshu Yuan; Peiyuan Sun; Jiacheng Guo; et al 出版日期：2026
求助人	FLZLC 在 2026-04-20 17:06:21 发布自北京，悬赏 20 积分
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