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 From Accelerated to Operating Conditions: How Trapped Charge Impacts on TDDB in SiO₂ and HfO₂ Stacks 相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
电荷（物理）
光电子学
工程物理
电气工程
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物理
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晶体管
电压
栅氧化层
量子力学
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Sara Vecchi; Andrea Padovani; Paolo Pavan; Francesco Maria Puglisi 出版日期：2024-04-01 |
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(2025-6-4)
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