A fast-switching threshold memristor based on AlN/Ag/AlN stacked device for mental disorder electroencephalogram recognition

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标题	A fast-switching threshold memristor based on AlN/Ag/AlN stacked device for mental disorder electroencephalogram recognition
网址	https://doi.org/10.1063/5.0309940
DOI	10.1063/5.0309940 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Kangbo Zhao; Zhe Fan; Kaoshan Zhang; Shuai Yan; Xin Hu; Xiaobing Yan 出版日期：2026
求助人	man 在 2026-05-26 16:31:03 发布自中国，悬赏 10 积分
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