Ultrathin Sn-doped Ga2O3 for power field-effect transistors: Si-compatible 4-inch array with high-k gate dielectric

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标题	Ultrathin Sn-doped Ga2O3 for power field-effect transistors: Si-compatible 4-inch array with high-k gate dielectric
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S209592732...
DOI	10.1016/j.scib.2024.04.059 doi
其它	期刊：Science Bulletin 作者：Zi-Chun Liu; Jia-Cheng Li; Hui-Xia Yang; Han Yang; Yuan Huang; et al 出版日期：2024-04-26
求助人	清新的沛蓝在 2026-04-29 22:58:06 发布自浙江，悬赏 10 积分
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