Enhanced High-Temperature Electrical Resistivity of Aluminum Nitride Obtained by Engineering a Schottky Barrier at Grain Boundaries

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标题	Enhanced High-Temperature Electrical Resistivity of Aluminum Nitride Obtained by Engineering a Schottky Barrier at Grain Boundaries
网址	http://link.springer.com/content/pdf/10.3938/jkps.77.673.pdf
DOI	10.3938/jkps.77.673 doi
其它	期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Eunsil Lee; Jae-Hwan Pee; Sung-Min Lee; Jong-Young Kim; Wooyoung Shim 出版日期：2020-10-29
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