Metal Reaction-Induced Bulk-Doping Effect in Forming Conductive Source-Drain Regions of Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors

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标题	Metal Reaction-Induced Bulk-Doping Effect in Forming Conductive Source-Drain Regions of Self-Aligned Top-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c21123
DOI	10.1021/acsami.0c21123 doi
求助人	Small-violet 在 2026-09-15 17:14:20 发布自云南，悬赏 10 积分
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