| 标题 |
 Suppressing the vdW Gap‐Induced Tunneling Barrier by Constructing Interfacial Covalent Bonds in 2D Metal–Semiconductor Contacts 相关领域
欧姆接触
材料科学
共价键
悬空债券
量子隧道
半导体
范德瓦尔斯力
费米能级
凝聚态物理
金属键合
金属
纳米技术
光电子学
分子
硅
物理
电子
图层（电子）
量子力学
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Functional Materials 作者：Wenchao Shan; Anqi Shi; Zhengyang Xin; Xiuyun Zhang; Bing Wang; et al 出版日期：2024-09-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Criminology34
DW
Lo
无极微光
cdercder
null
秋风
修仙中
Nole
Enigma_GEB
OK
DOC_XIONG
七颗茶香豆
我想
xing_xing
学术文献互助
song
Ali
GingerF
翟翟翟
皖公网安备34019202002308
