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 Detrimental impact of hydrogen on negative bias temperature instabilities in HfO/sub 2/-based pMOSFETs 氢对HfO/sub 2/基PMOSFET负偏压温度不稳定性的不利影响
相关领域
材料科学
氢
掺杂剂活化
负偏压温度不稳定性
形成气体
阈值电压
MOSFET
掺杂剂
堆栈（抽象数据类型）
晶体管
电介质
光电子学
退火（玻璃）
分析化学（期刊）
电气工程
兴奋剂
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化学
复合材料
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有机化学
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期刊： 作者：Michel Houssa; Stefan De Gendt; J.L. Autran; G. Groeseneken; M. M. Heyns 出版日期：2004-01-01 |
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