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Monolayer-scale AlN/GaN digital alloys grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 等离子体辅助分子束外延生长单层AlN/GaN数字合金
相关领域
分子束外延
单层
材料科学
光电子学
等离子体
外延
宽禁带半导体
纳米技术
图层(电子)
物理
量子力学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Siqi Li; Xiao Liang; Pengfei Shao; Songlin Chen; Zhenhua Li; et al 出版日期:2024-09-09 |
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