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Monolithically Integrated Bidirectional Gate ESD Protection Scheme of p-GaN Power HEMT by Dual-Gate Device Technology
基于双栅器件技术的p-GaN功率HEMT单片集成双向栅极ESD保护方案
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1109/tpel.2024.3494833
DOI
10.1109/tpel.2024.3494833 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Power Electronics
作者：Yanfeng Ma; Sheng Li; Mingfei Li; Weihao Lu; Lixi Wang; et al
出版日期：2024-11-08
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大安吉 在 2025-12-06 14:12:34 发布自海南，悬赏 10 积分
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