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 A Gm -Boosting Technique for Millimeter-Wave Low-Noise Amplifiers in 28-nm Triple-Well Bulk CMOS Using Floating Resistor in Body Biasing 28 nm三阱体CMOS中毫米波低噪声放大器的Gm升压技术
相关领域
CMOS芯片
电阻器
晶体管
跨导
噪声系数
低噪声放大器
电气工程
偏压
电子工程
放大器
共栅
闪烁噪声
光电子学
材料科学
工程类
电压
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期刊：IEEE Transactions on Circuits and Systems I Regular Papers 作者：Enis Kobal; Teerachot Siriburanon; Xi Chen; Hieu Nguyen Minh; Robert Bogdan Staszewski; et al 出版日期：2022-08-26 |
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