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A novel method to solve analytically the non-linear Poisson equation in the inversion layer of a MOSFET 解析求解MOSFET反型层非线性泊松方程的新方法
相关领域
反演(地质)
MOSFET
泊松分布
泊松方程
计算物理学
数学
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物理
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晶体管
古生物学
电压
构造盆地
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Pedro Pereyra 出版日期:2024-07-27 |
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