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  Three-dimensional numerical simulation of single event upset effect based on 55 nm DICE latch unit 基于55 nm骰子锁存单元的单粒子翻转效应三维数值模拟
相关领域
掷骰子
NMOS逻辑
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心烦意乱
晶体管
单事件翻转
电压
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Xing Zhang; Yulin Liu; Gang Li; Shao-An Yan; Yongguang Xiao; et al 出版日期：2024-01-01 |
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