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标题
Bilayer HfO2/Sb2O3 gate dielectric stacks for transistors with 2D semiconducting channels
用于具有二维半导体沟道的晶体管的双层HfO2/Sb2O3栅极电介质堆叠
相关领域
材料科学 光电子学 栅极电介质 电介质 晶体管 双层 纳米技术 电气工程 化学 工程类 电压 膜 生物化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.scib.2023.10.007
DOI
10.1016/j.scib.2023.10.007 doi
其它 期刊：Science Bulletin
作者：Mario Lanza
出版日期：2023-10-12
求助人
羊1234 在 2025-12-10 19:32:04 发布自青海，悬赏 10 积分
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