Optimization method of optical proximity correction for mitigation of H-V CD bias and local CD variation in DRAM hexagonal array features induced by mask 3D and curved slit at EUV lithography

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标题	Optimization method of optical proximity correction for mitigation of H-V CD bias and local CD variation in DRAM hexagonal array features induced by mask 3D and curved slit at EUV lithography
网址	http://dx.doi.org/10.1117/12.3117453
DOI	10.1117/12.3117453 doi
其它	期刊：International Conference on Extreme Ultraviolet Lithography 2026 作者：Harim Oh; Ahram Suh; Yongwoo Kim; Chan Hwang; Yongchan Kim 出版日期：2026-10-23
求助人	aa3294 在 2026-11-03 13:39:28 发布自北京，悬赏 20 积分
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