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 Simulation analysis of current collapse suppression in GaN HEMTs using a Si δ-doped cap layer 相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
饱和电流
光电子学
电流密度
氮化镓
饱和（图论）
电流（流体）
宽禁带半导体
功率半导体器件
外延
图层（电子）
跨导
阻挡层
功率（物理）
氮化铝
功率密度
直流电
安全操作区
晶体管
电子工程
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| 其它 |
期刊：Micro and Nanostructures 作者：Mengxiao Lian; Jiaheng He; Lian Zhang; Shujie Xie; Xuankun Wu; et al 出版日期：2025-11-20 |
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(2025-6-4)
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