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 Enabling Multiple-Vt Device Scaling for CMOS Technology beyond 7nm Node 为CMOS技术实现7纳米节点以上的多Vt器件扩展
相关领域
计算机科学
CMOS芯片
材料科学
灵活性（工程）
金属浇口
节点（物理）
缩放比例
逻辑门
电气工程
光电子学
电子工程
电压
晶体管
工程类
栅氧化层
数学
结构工程
统计
几何学
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期刊：Symposium on VLSI Technology 作者：Vincent S. Chang; Shun‐yu Wang; Jen-Hsiang Lu; W.H. Wu; B.F. Wu; et al 出版日期：2020-06-16 |
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