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Spin-orbit torque magnetic tunnel junction based on 2-D materials: Impact of bias-layer on device performance 基于二维材料的自旋轨道矩磁隧道结:偏置层对器件性能的影响
相关领域
隧道磁电阻
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期刊:Solid-State Electronics 作者:M. Shashidhara; Shobhit Srivastava; Sourabh Panwar; Abhishek Acharya 出版日期:2023-08-25 |
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