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 Fully-vertical GaN-on-SiC Schottky barrier diode with ultrathin AlGaN buffer layer 具有超薄AlGaN缓冲层的全垂直GaN-on-SiC肖特基势垒二极管
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yuting Sun; Yuxia Feng; Jia Wei; Maojun Wang; Xuelin Yang; et al 出版日期：2024-01-16 |
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