A Threshold‐Voltage and Drain–Source Current Model for Double‐Channel AlxGa1−xN/GaN/AlyGa1−yN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors

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标题	A Threshold‐Voltage and Drain–Source Current Model for Double‐Channel AlxGa1−xN/GaN/AlyGa1−yN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors 双沟道AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管的阈值电压和漏源电流模型
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202300413
DOI	10.1002/pssa.202300413 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Jing Cai; Ruo-He Yao; Yu-Rong Liu; Kui-Wei Geng 出版日期：2023
求助人	冷傲碧萱在 2025-12-05 11:08:46 发布自重庆，悬赏 10 积分
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