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A Threshold‐Voltage and Drain–Source Current Model for Double‐Channel AlxGa1−xN/GaN/AlyGa1−yN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors 双沟道AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管的阈值电压和漏源电流模型
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Jing Cai; Ruo-He Yao; Yu-Rong Liu; Kui-Wei Geng 出版日期:2023 |
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