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Influence of neutron irradiation parameter and annealing temperature on neutron-transmutation-doped heteroepitaxial GaN film 中子辐照参数和退火温度对中子嬗变掺杂异质外延GaN薄膜的影响
相关领域
材料科学
中子辐照
辐照
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核物理学
复合材料
物理
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期刊:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms 作者:Yueh-Chun Chung; Der-Sheng Chao; Jenq‐Horng Liang 出版日期:2024-03-02 |
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