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 Improved device performance of recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs by using in-situ N2O radical treatment 原位N2O自由基处理提高凹栅AlGaN/GaN HEMTs的器件性能
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期刊：Chinese Physics B 作者：Xinchuang Zhang; Mei Wu; Bin Hou; Xuerui Niu; Hao Lü; et al 出版日期：2022-01-07 |
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