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Evolution and Intersection of Extended Defects and Stacking Faults in 3C‐SiC Layers on Si (001) Substrates by Molecular Dynamics Simulations: The Forest Dislocation Case 分子动力学模拟Si(001)衬底上3C-SiC层中延伸缺陷和层错的演化和交叉:森林位错情况
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期刊:physica status solidi (b) 作者:Luca Barbisan; Emilio Scalise; Anna Marzegalli 出版日期:2022-02-12 |
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