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 Crack-free > 1-μm AlN layer on Si substrate using ductile interlayer for strain modification in epitaxial film 在Si衬底上使用延性夹层进行外延膜应变改性的无裂纹>1 μ m AlN层
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Muhammad Aqib; Mina Moradnia; Mi‐Hee Ji; Vijay Parameshwaran; Wendy L. Sarney; et al 出版日期：2024-09-09 |
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