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1.5 kV NiO/Ga2O3 Vertical Heterojunction Diodes Based on Lightly Doped Single‐Crystal Substrate with In Situ Ohmic Contact Formation
基于原位欧姆接触形成的轻掺杂单晶衬底的1.5 kV NiO/Ga2O3垂直异质结二极管
网址
https://doi.org/10.1002/pssr.202500293
DOI
10.1002/pssr.202500293 doi
其它 期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
作者：Chang Liu; Ningtao Liu; Zefeng Wang; Yan Tan; Haobo Lin; et al
出版日期：2025-09-24
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Zhoey 在 2025-12-22 10:59:34 发布自浙江，悬赏 10 积分
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