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 Dual role of 3C-SiC interlayer on DC and RF isolation of GaN/Si-based devices 3C-SiC中间层在GaN/Si基器件直流和射频隔离中的双重作用
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期刊：Applied Physics Letters 作者：A. El Hadi Khediri; B. Benbakhti; Jean-Claude Gerbedoen; Hassan Maher; Abdelatif Jaouad; et al 出版日期：2022-09-19 |
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