InGaN channel high electron mobility transistor structures grown by metal organic chemical vapor deposition

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标题	InGaN channel high electron mobility transistor structures grown by metal organic chemical vapor deposition 金属有机化学气相沉积法生长InGaN沟道高电子迁移率晶体管结构相关领域化学气相沉积高电子迁移率晶体管材料科学电子迁移率光电子学光致发光晶体管感应高电子迁移率晶体管宽禁带半导体表面粗糙度分析化学（期刊）化学复合材料物理量子力学电压色谱法
网址	https://doi.org/10.1063/1.3697415
DOI	10.1063/1.3697415 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Oleg Laboutin; Yu Cao; Wayne Johnson; R. Wang; G. Li; et al 出版日期：2012-03-19
求助人	快乐绝悟在 2025-12-26 16:47:01 发布自山东，悬赏 10 积分
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