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 InGaN channel high electron mobility transistor structures grown by metal organic chemical vapor deposition 金属有机化学气相沉积法生长InGaN沟道高电子迁移率晶体管结构
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化学气相沉积
高电子迁移率晶体管
材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Oleg Laboutin; Yu Cao; Wayne Johnson; R. Wang; G. Li; et al 出版日期：2012-03-19 |
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