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Improvement in the channel mobility of a recess-gate GaN MOSFET with Al0.28Si0.72OX gate dielectric using the AlGaN/GaN selective-area regrowth method on a GaN-on-Si substrate
在GaN-on-Si衬底上使用AlGaN/GaN选择性区域再生长方法改善具有Al0.28Si 0.72 ox栅极电介质的凹栅GaN MOSFET的沟道迁移率
相关领域
材料科学 光电子学 MOSFET 电介质 栅极电介质 频道（广播） 宽禁带半导体 电子迁移率 电气工程 晶体管 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ada618
DOI
10.35848/1347-4065/ada618 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Po-Chin Huang; Matthew D. Smith; Daimotsu Kato; Jumpei Tajima; Hiroshi Ono Hiroshi Ono; et al
出版日期：2025-01-01
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蒋时晏 在 2025-12-03 17:34:18 发布自海南，悬赏 10 积分
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