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标题
A 4H-SiC semi-super-junction shielded trench MOSFET: p-pillar is grounded to optimize the electric field characteristics
4H-SiC半超结屏蔽沟槽MOSFET：p柱接地优化电场特性
相关领域
沟槽 材料科学 电场 MOSFET 浅沟隔离 光电子学 晶体管 耗尽区 电气工程 图层（电子） 半导体 复合材料 电压 工程类 物理 量子力学
网址
https://doi.org/10.1088/1674-4926/43/12/122802
DOI
10.1088/1674-4926/43/12/122802 doi
其它 期刊：Journal of Semiconductors
作者：Xiaojie Wang; Zhanwei Shen; Guoliang Zhang; Yuyang Miao; Tiange Li; et al
出版日期：2022-12-01
求助人
小小蚂蚁 在 2025-05-12 13:24:38 发布自浙江，悬赏 10 积分
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