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标题
Improvement of self-heating effect in Ge vertically stacked GAA nanowire pMOSFET by utilizing Al2O3 for high-performance logic device and electrical/thermal co-design
利用Al2O3改善Ge垂直堆叠GAA纳米线pMOSFET的自热效应用于高性能逻辑器件和电/热协同设计
相关领域
纳米线 材料科学 光电子学 晶体管 等效氧化层厚度 场效应晶体管 电介质 MOSFET 泄漏（经济） 逻辑门 热的 栅极电介质 高-κ电介质 纳米技术 栅氧化层 电气工程 电压 工程类 物理 气象学 经济 宏观经济学
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/abec5c
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/abec5c doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Young Suh Song; Sangwan Kim; Garam Kim; Hyunwoo Kim; Jongho Lee; et al
出版日期：2021-03-05
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Mu5k 在 2025-08-04 11:11:54 发布，悬赏 10 积分
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