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标题
Realization of highly rectifying Schottky barrier diodes and pn heterojunctions on κ-Ga2O3 by overcoming the conductivity anisotropy
克服电导各向异性在κ-Ga2O3上实现高整流肖特基势垒二极管和pn异质结
相关领域
欧姆接触 肖特基势垒 二极管 整改 光电子学 异质结 材料科学 肖特基二极管 图层（电子） 电压 纳米技术 电气工程 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/5.0056630
AI链接 scitation.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0056630 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Max Kneiß; Daniel Splith; Peter Schlupp; Anna Hassa; Holger von Wenckstern; et al
出版日期：2021-08-26
求助人
dabao 在 2025-08-27 22:24:07 发布，悬赏 10 积分
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