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 Realization of highly rectifying Schottky barrier diodes and pn heterojunctions on κ-Ga2O3 by overcoming the conductivity anisotropy 克服电导各向异性在κ-Ga2O3上实现高整流肖特基势垒二极管和pn异质结
相关领域
欧姆接触
肖特基势垒
二极管
整改
光电子学
异质结
材料科学
肖特基二极管
图层（电子）
电压
纳米技术
电气工程
工程类
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Max Kneiß; Daniel Splith; Peter Schlupp; Anna Hassa; Holger von Wenckstern; et al 出版日期：2021-08-26 |
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