| 标题 |
 $\text{Hf}_{0.5}\text{Zr}_{0.5}\mathrm{O}_{2}$ FeRAM Scalability Demonstration at 22nm FDSOI Node for Embedded Applications 相关领域
铁电RAM
可扩展性
节点（物理）
计算机科学
光电子学
操作系统
材料科学
物理
量子力学
铁电性
电介质
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Sébastien Martin; C. Jahan; Liam Hosier; Fanny Grimaud; Miguel Louro; et al 出版日期：2024-12-07 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
牧青
v0id
璐璐
林狗
lalala
愉快的真
学霸业
学术文献互助
OK
嘻嘻哈哈
GingerF
aajhajkahna
谢雷XIELei
DW
刻苦若之
lili
极限001
aaaa
changping
SIyuan
皖公网安备34019202002308
