Record-Low R ON,SP and R ON ×Q G in Regrowth-Free Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs on 200-mm GaN-on-Si Platform

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标题	Record-Low R ON,SP and R ON ×Q G in Regrowth-Free Low-Voltage p-GaN Gate HEMTs on 200-mm GaN-on-Si Platform
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ispsd64561.2026.11554000
DOI	10.1109/ispsd64561.2026.11554000 doi
其它	期刊：2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Yan Cheng; Yu Shi; David Zhou; Xinying Huang; Yu Zhang; et al 出版日期：2026-05-24
求助人	liuchuck 在 2026-08-12 12:38:45 发布自湖南，悬赏 10 积分
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