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标题
1.8 mΩ·cm2 vertical GaN-based trench metal–oxide–semiconductor field-effect transistors on a free-standing GaN substrate for 1.2-kV-class operation
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网址
https://doi.org/10.7567/apex.8.054101
DOI
10.7567/apex.8.054101 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Tohru Oka; Tsutomu Ina; Yukihisa Ueno; Junya Nishii
出版日期：2015-04-14
求助人
可靠的谷雪 在 2025-11-30 22:28:24 发布，悬赏 10 积分
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