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Epitaxial Growth of Highly Stressed InGaAs/InAlAs Layers on InP Substrates by Molecular-Beam Epitaxy 相关领域
材料科学
外延
分子束外延
光电子学
图层(电子)
纳米技术
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期刊:Technical Physics 作者:V. V. Andryushkin; I. I. Novikov; A. G. Gladyshev; A. V. Babichev; L. Ya. Karachinsky; et al 出版日期:2024-06-01 |
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