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High Temperature AlGaN/GaN MISHEMT With W/AlON Gate Stack and I max>1 A/mm at 500 ∘C |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:John Niroula; Qingyun Xie; Elham Rafie Borujeny; Shisong Luo; Minsik Oh; et al 出版日期:2025 |
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(2025-6-4)