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 Evidence for nitrogen binding to surface defects for topological insulator Bi2Se3 拓扑绝缘体Bi2Se3氮与表面缺陷结合的证据
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期刊：Solid State Communications 作者：Michael Gottschalk; Mal‐Soon Lee; Eric Goodwin; Camille Mikolas; Thomas C. Chasapis; et al 出版日期：2022-11-09 |
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