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标题
Evidence for nitrogen binding to surface defects for topological insulator Bi2Se3
拓扑绝缘体Bi2Se3氮与表面缺陷结合的证据
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2022.115012
AI链接 osti.gov osti.gov osti.govdoi.org
DOI
10.1016/j.ssc.2022.115012 doi
其它 期刊：Solid State Communications
作者：Michael Gottschalk; Mal‐Soon Lee; Eric Goodwin; Camille Mikolas; Thomas C. Chasapis; et al
出版日期：2022-11-09
求助人
Doctor 在 2025-12-07 15:15:23 发布自海南，悬赏 10 积分
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