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Theoretical study of the influence of GaOx interfacial layer on the GaN/SiO2 interface property GaOx界面层对GaN/SiO2界面性能影响的理论研究
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Shuto Hattori; Atsushi Oshiyama; Kenji Shiraishi 出版日期:2024-05-01 |
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