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标题
Interface engineering of transition metal dichalcogenide/GaN heterostructures: Modified broadband for photoelectronic performance
过渡金属二硫族化物/GaN异质结构的界面工程：光电子性能的改进宽带
相关领域
异质结 材料科学 光电子学 单层 价带 堆积 带偏移量 带隙 纳米技术 化学 有机化学
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac6eee
DOI
10.1088/1674-1056/ac6eee doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Yinlu Gao; Kai Cheng; Xue Jiang; Jijun Zhao
出版日期：2022-05-12
求助人
棒棒 在 2025-12-03 19:56:01 发布自福建，悬赏 10 积分
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