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 Investigations into the robustness of the peak turn-on current slope method for junction temperature sensing in p-GaN HEMTs p-GaN HEMTs结温传感峰值导通电流斜率法鲁棒性研究
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Weihao Lu; Sheng Li; Ran Ye; Weixiong Mao; Zikang Zhang; et al 出版日期：2024-07-29 |
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