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 An in-depth investigation of gate leakage current degradation mechanisms in 1.2 kV 4H-SiC power MOSFETs 1.2 kV 4H-SiC功率MOSFET栅极漏电流退化机理的深入研究
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Wei Tan; Linna Zhao; Cunli Lu; Weidong Nie; Xiaofeng Gu 出版日期：2023-02-01 |
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