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 Area-Efficient, 600V 4H-SiC JBS Diode-Integrated MOSFETs (JBSFETs) for Power Converter Applications 用于功率转换器应用的面积有效的600V 4H-SiC JBS二极管集成MOSFETs（JBSFETs）
相关领域
材料科学
肖特基二极管
光电子学
碳化硅
欧姆接触
击穿电压
MOSFET
二极管
肖特基势垒
制作
电气工程
电压
电子工程
图层（电子）
工程类
纳米技术
晶体管
冶金
替代医学
病理
医学
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者：Nick Yun; Justin Lynch; Woongje Sung 出版日期：2020-03-01 |
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