标题 |
Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor Reliability and Electrical Performance Using ALD SiO2 Interfacial Layer on PECVD SiO2 Gate Insulator
在PECVD SiO2栅绝缘体上应用ALD SiO2界面层改善非晶InGaZnO薄膜晶体管的可靠性和电性能
相关领域
等离子体增强化学气相沉积
薄膜晶体管
材料科学
无定形固体
分析化学(期刊)
纳米技术
薄膜
化学
有机化学
图层(电子)
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DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Taeho Lee; Saeroonter Oh 出版日期:2024-01-27 |
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